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    氮化鋁陶瓷電路板技術參數 文章正文
    氮化鋁陶瓷電路板技術參數

    氮化鋁與氧化鋁 

     

    AlN陶瓷電路板產品規格及尺寸參數

    項目

    具體參數

    厚度 (Thickness)

    0.25~0.635 mm

    尺寸 (Dimension)

    114×114 mm

    孔徑 (Diameter)

    Top (上)

    80~140μm

    Bottom (下)

    60~100 μm

    線距 (Line-spacing)

    60 μm

    線寬 (Line-width)

    60 μm

    金屬層 (Copper Thickness)

    Cu15~30 μm

    表面處理 (Surface Finish)

    Ni-Pd-Au/Ni-Pd-Ag/Ni-Ag/Ag

    表面粗糙度 (Surface Roughness)

    Ra≤0.3 μm

    圖案分配率 (Distribution Pattern )

    90%

    基板密度 (Nominal Density)

    3.30 g/cm³

    熱導率 (Thermal Conductivity) (20)

    >170 W/m·K

    整版翹曲度(Warpage

    <1

     

    氮化鋁陶瓷電路板具有極高的金屬化粘結度、優秀的焊接工藝和出色的穩定性、良好的機械強度和適合的熱膨脹系數,確??梢耘浜细鞣N芯片封裝工藝與芯片緊密貼合。

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